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起订量:3
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3 | ¥33.727397 | ¥101.18 |
20 | ¥32.430141 | ¥648.60 |
50 | ¥31.132886 | ¥1556.64 |
100 | ¥29.835713 | ¥2983.57 |
300 | ¥28.538541 | ¥8561.56 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 1.7 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 305 W
集电极连续电流(Max) 40 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 SP001537700
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0IRG8P40N120KDPBF
型号:IRG8P40N120KDPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
3+: | ¥33.727397 |
20+: | ¥32.430141 |
50+: | ¥31.132886 |
100+: | ¥29.835713 |
300+: | ¥28.538541 |
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