货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥12.353972 | ¥37061.92 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 6.25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 49.5 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7164DP-GE3
单位重量 506.600 mg
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0SI7164DP-T1-GE3
型号:SI7164DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥12.353972 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00