RGTVX6TS65DGC11
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥62.799932 | ￥62.80 |
| 10 | ￥56.74733 | ￥567.47 |
| 100 | ￥46.980235 | ￥4698.02 |
| 500 | ￥40.909441 | ￥20454.72 |
| 1000 | ￥37.348906 | ￥37348.91 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 144 A
耗散功率 404 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 14.782 g
RGTVX6TS65DGC11 同类别型号
注
RGTVX6TS65DGC11
型号：RGTVX6TS65DGC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥62.799932 |
| 10+： | ￥56.74733 |
| 100+： | ￥46.980235 |
| 500+： | ￥40.909441 |
| 1000+： | ￥37.348906 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥62.80