SI7164DP-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI7164DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥43.209685 | ￥43.21 |
| 10 | ￥38.832049 | ￥388.32 |
| 100 | ￥31.819329 | ￥3181.93 |
| 500 | ￥27.087513 | ￥13543.76 |
| 1000 | ￥24.476798 | ￥24476.80 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 6.25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 49.5 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导（Min） 30 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 21 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7164DP-GE3
单位重量 506.600 mg
SI7164DP-T1-GE3 同类别型号
注
SI7164DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI7164DP-T1-GE3
数据手册PDF。
SI7164DP-T1-GE3
型号：SI7164DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥43.209685 |
| 10+： | ￥38.832049 |
| 100+： | ￥31.819329 |
| 500+： | ￥27.087513 |
| 1000+： | ￥24.476798 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥43.21