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制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 1.7 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 15 A
耗散功率 89 W
集电极连续电流(Max) 8 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 SP001532714
单位重量 6.500 g
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0IRG8P08N120KD-EPBF
型号:IRG8P08N120KD-EPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
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