货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥117.130756 | ¥117.13 |
30 | ¥93.521806 | ¥2805.65 |
120 | ¥83.675845 | ¥10041.10 |
510 | ¥73.831752 | ¥37654.19 |
1020 | ¥66.448652 | ¥67777.63 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.8 kV
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 535 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 11.535 g
购物车
0RGC80TSX8RGC11
型号:RGC80TSX8RGC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥117.130756 |
30+: | ¥93.521806 |
120+: | ¥83.675845 |
510+: | ¥73.831752 |
1020+: | ¥66.448652 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥117.13