RGC80TSX8RGC11
库存 ：880
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥160.176712 | ￥160.18 |
| 30 | ￥95.157511 | ￥2854.73 |
| 120 | ￥80.882661 | ￥9705.92 |
| 510 | ￥74.791205 | ￥38143.51 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.8 kV
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 535 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 11.535 g
RGC80TSX8RGC11 同类别型号
注
RGC80TSX8RGC11
型号：RGC80TSX8RGC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：880 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥160.176712 |
| 30+： | ￥95.157511 |
| 120+： | ￥80.882661 |
| 510+： | ￥74.791205 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥160.18