货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥160.171851 | ¥160.17 |
| 30 | ¥95.154624 | ¥2854.64 |
| 120 | ¥80.880207 | ¥9705.62 |
| 510 | ¥74.788934 | ¥38142.36 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.8 kV
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 535 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 11.535 g
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0RGC80TSX8RGC11
型号:RGC80TSX8RGC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥160.171851 |
| 30+: | ¥95.154624 |
| 120+: | ¥80.880207 |
| 510+: | ¥74.788934 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥160.17