IXBT2N250-TR

制造商 IXYS

商标 IXYS

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 2.5 kV

漏极电流 5 A

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 10.6 nC

耗散功率 32 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 178 ns

正向跨导（Min） 0.85 S

上升时间 280 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 74 ns

典型接通延迟时间 30 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 6.500 g