PMWD30UN,518
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
PMWD30UN,518
制造商
NXP(恩智浦)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
33mOhm @ 3.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
700mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
28nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1478pF @ 10V
功率 - 最大值
2.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商器件封装
8-TSSOP
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注
PMWD30UN,518
型号：PMWD30UN,518
品牌：NXP
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