SQJB40EP-T1_GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SQJB40EP-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.181908 | ￥18.18 |
| 10 | ￥16.253524 | ￥162.54 |
| 100 | ￥12.676372 | ￥1267.64 |
| 500 | ￥10.47223 | ￥5236.11 |
| 1000 | ￥8.267535 | ￥8267.53 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 6.3 mOhms, 6.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQJB40EP-T1_BE3
单位重量 506.600 mg
SQJB40EP-T1_GE3 同类别型号
注
SQJB40EP-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SQJB40EP-T1_GE3
数据手册PDF。
SQJB40EP-T1_GE3
型号：SQJB40EP-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.181908 |
| 10+： | ￥16.253524 |
| 100+： | ￥12.676372 |
| 500+： | ￥10.47223 |
| 1000+： | ￥8.267535 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.18