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CSD19531Q5A

TI(德州仪器)
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制造商编号:
CSD19531Q5A
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
渠道:
digikey

库存 :6312

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 21.102481 21.10
10 17.502648 175.03
100 13.935086 1393.51
500 11.791324 5895.66
1000 10.00481 10004.81

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 100 A

漏源电阻 6.4 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.7 V

栅极电荷 37 nC

耗散功率 3.3 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 5.2 ns

正向跨导(Min) 82 S

上升时间 5.8 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 18.4 ns

典型接通延迟时间 6 ns

外形参数

高度 1 mm

长度 6 mm

宽度 4.9 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 87.800 mg

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CSD19531Q5A

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型号:CSD19531Q5A

品牌:TI

供货:锐单

库存:6312 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥21.102481
10+: ¥17.502648
100+: ¥13.935086
500+: ¥11.791324
1000+: ¥10.00481

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