
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥29.984415 | ¥29.98 |
| 10 | ¥20.392462 | ¥203.92 |
| 100 | ¥14.490427 | ¥1449.04 |
| 500 | ¥11.865874 | ¥5932.94 |
| 1000 | ¥11.00933 | ¥11009.33 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 6.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 37 nC
耗散功率 3.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.2 ns
正向跨导(Min) 82 S
上升时间 5.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.4 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 87.800 mg
购物车
0CSD19531Q5A
型号:CSD19531Q5A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥29.984415 |
| 10+: | ¥20.392462 |
| 100+: | ¥14.490427 |
| 500+: | ¥11.865874 |
| 1000+: | ¥11.00933 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥29.98