货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥112.259686 | ¥112.26 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 1.7 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 350 W
集电极连续电流(Max) 50 A
栅极—射极漏泄电流 300 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 SP001546104
单位重量 6.500 g
购物车
0IRG8P50N120KD-EPBF
型号:IRG8P50N120KD-EPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥112.259686 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥112.26