FGY60T120SQDN
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥55.117067 | ￥55.12 |
| 10 | ￥49.767798 | ￥497.68 |
| 100 | ￥41.201687 | ￥4120.17 |
| 500 | ￥35.87785 | ￥17938.93 |
| 1000 | ￥31.248408 | ￥31248.41 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 1.7 V
栅极/发射极最大电压 25 V
在25 C的连续集电极电流 120 A
耗散功率 517 W
集电极连续电流（Max） 120 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 9.594 g
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注
FGY60T120SQDN品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGY60T120SQDN
数据手册PDF。
FGY60T120SQDN
型号：FGY60T120SQDN
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥55.117067 |
| 10+： | ￥49.767798 |
| 100+： | ￥41.201687 |
| 500+： | ￥35.87785 |
| 1000+： | ￥31.248408 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥55.12