IPD70N10S312ATMA1
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- 制造商编号：
- IPD70N10S312ATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：10838
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥23.6 | ￥23.60 |
| 10 | ￥21.15351 | ￥211.54 |
| 25 | ￥19.952504 | ￥498.81 |
| 100 | ￥17.00065 | ￥1700.07 |
| 500 | ￥13.967494 | ￥6983.75 |
| 1000 | ￥12.145722 | ￥12145.72 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPD70N10S312ATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
11.1mOhm @ 70A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 83µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
65nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4355pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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注
IPD70N10S312ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPD70N10S312ATMA1
数据手册PDF
。
IPD70N10S312ATMA1
型号：IPD70N10S312ATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：10838 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥23.6 |
| 10+： | ￥21.15351 |
| 25+： | ￥19.952504 |
| 100+： | ￥17.00065 |
| 500+： | ￥13.967494 |
| 1000+： | ￥12.145722 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥23.60