STLD200N4F6AG
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- 制造商编号：
- STLD200N4F6AG
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥47.118367 | ￥47.12 |
| 10 | ￥39.576368 | ￥395.76 |
| 100 | ￥32.011424 | ￥3201.14 |
| 500 | ￥28.454905 | ￥14227.45 |
| 1000 | ￥24.36448 | ￥24364.48 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STLD200N4F6AG
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.5mOhm @ 75A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
172nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
10700pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
158W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6) Dual Side
封装/外壳
8-PowerWDFN
STLD200N4F6AG 同类别型号
注
STLD200N4F6AG品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STLD200N4F6AG
数据手册PDF。
STLD200N4F6AG
型号：STLD200N4F6AG
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥47.118367 |
| 10+： | ￥39.576368 |
| 100+： | ￥32.011424 |
| 500+： | ￥28.454905 |
| 1000+： | ￥24.36448 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥47.12