NTD4858N-1G
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- NTD4858N-1G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.463328 | ￥7.46 |
| 25 | ￥5.878197 | ￥146.95 |
| 50 | ￥4.474694 | ￥223.73 |
| 100 | ￥3.682129 | ￥368.21 |
| 250 | ￥3.186776 | ￥796.69 |
| 500 | ￥2.972121 | ￥1486.06 |
| 1000 | ￥2.724445 | ￥2724.44 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTD4858N-1G
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
包装
Tube
系列
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零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11.2A (Ta), 73A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6.2mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
19.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1563pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
NTD4858N-1G 同类别型号
注
NTD4858N-1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NTD4858N-1G
数据手册PDF。
NTD4858N-1G
型号：NTD4858N-1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.463328 |
| 25+： | ￥5.878197 |
| 50+： | ￥4.474694 |
| 100+： | ￥3.682129 |
| 250+： | ￥3.186776 |
| 500+： | ￥2.972121 |
| 1000+： | ￥2.724445 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.46