RGS50TSX2DHRC11
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥73.088568 | ￥73.09 |
| 10 | ￥66.055258 | ￥660.55 |
| 100 | ￥54.686231 | ￥5468.62 |
| 500 | ￥47.62013 | ￥23810.07 |
| 1000 | ￥41.475593 | ￥41475.59 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 1.7 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 50 A
耗散功率 395 W
栅极—射极漏泄电流 500 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 16 g
RGS50TSX2DHRC11 同类别型号
注
RGS50TSX2DHRC11
型号：RGS50TSX2DHRC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥73.088568 |
| 10+： | ￥66.055258 |
| 100+： | ￥54.686231 |
| 500+： | ￥47.62013 |
| 1000+： | ￥41.475593 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥73.09