RGS50TSX2DHRC11
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥59.761307 | ￥59.76 |
| 10 | ￥54.010478 | ￥540.10 |
| 100 | ￥44.714525 | ￥4471.45 |
| 500 | ￥38.936885 | ￥19468.44 |
| 1000 | ￥33.912767 | ￥33912.77 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 1.7 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 50 A
耗散功率 395 W
栅极—射极漏泄电流 500 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 16 g
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注
RGS50TSX2DHRC11
型号：RGS50TSX2DHRC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥59.761307 |
| 10+： | ￥54.010478 |
| 100+： | ￥44.714525 |
| 500+： | ￥38.936885 |
| 1000+： | ￥33.912767 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥59.76