货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥27.060018 | ¥27.06 |
10 | ¥24.368184 | ¥243.68 |
100 | ¥19.585218 | ¥1958.52 |
500 | ¥16.090933 | ¥8045.47 |
1000 | ¥13.792107 | ¥13792.11 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 4.8 A
漏源电阻 85 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
正向跨导(Min) 15 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7898DP-T1
单位重量 506.600 mg
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0SI7898DP-T1-E3
型号:SI7898DP-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥27.060018 |
10+: | ¥24.368184 |
100+: | ¥19.585218 |
500+: | ¥16.090933 |
1000+: | ¥13.792107 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥27.06