SI7980DP-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI7980DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.396224 | ￥12.40 |
| 10 | ￥10.17671 | ￥101.77 |
| 25 | ￥9.572246 | ￥239.31 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI7980DP-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
22mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1010pF @ 10V
功率 - 最大值
19.8W, 21.9W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 Dual
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7980DP-T1-GE3 同类别型号
注
SI7980DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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SI7980DP-T1-GE3
型号：SI7980DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.396224 |
| 10+： | ￥10.17671 |
| 25+： | ￥9.572246 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.40