NTD4863N-35G
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- 制造商编号：
- NTD4863N-35G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.13724 | ￥3.14 |
| 25 | ￥2.773981 | ￥69.35 |
| 50 | ￥2.49328 | ￥124.66 |
| 100 | ￥2.262115 | ￥226.21 |
| 250 | ￥2.063973 | ￥515.99 |
| 500 | ￥1.898856 | ￥949.43 |
| 1000 | ￥1.766761 | ￥1766.76 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTD4863N-35G
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK
包装
Tube
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.2A (Ta), 49A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
9.3mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
13.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
990pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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注
NTD4863N-35G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、NTD4863N-35G
数据手册PDF。
NTD4863N-35G
型号：NTD4863N-35G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.13724 |
| 25+： | ￥2.773981 |
| 50+： | ￥2.49328 |
| 100+： | ￥2.262115 |
| 250+： | ￥2.063973 |
| 500+： | ￥1.898856 |
| 1000+： | ￥1.766761 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.14