RGS80TSX2HRC11
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥79.78236 | ￥79.78 |
| 30 | ￥63.705636 | ￥1911.17 |
| 120 | ￥56.999446 | ￥6839.93 |
| 510 | ￥50.293472 | ￥25649.67 |
| 1020 | ￥45.264009 | ￥46169.29 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 1.7 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 555 W
栅极—射极漏泄电流 500 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
RGS80TSX2HRC11 相关产品
RGS80TSX2HRC11 同类别型号
注
RGS80TSX2HRC11
型号：RGS80TSX2HRC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥79.78236 |
| 30+： | ￥63.705636 |
| 120+： | ￥56.999446 |
| 510+： | ￥50.293472 |
| 1020+： | ￥45.264009 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥79.78