SIR626DP-T1-RE3
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- 制造商编号：
- SIR626DP-T1-RE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥27.909205 | ￥27.91 |
| 10 | ￥25.08995 | ￥250.90 |
| 100 | ￥20.165463 | ￥2016.55 |
| 500 | ￥16.567585 | ￥8283.79 |
| 1000 | ￥14.200828 | ￥14200.83 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 102 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 78 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 19 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SIR626DP-T1-RE3 同类别型号
注
SIR626DP-T1-RE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIR626DP-T1-RE3、查询SIR626DP-T1-RE3代理商；
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替代型号
、SIR626DP-T1-RE3
数据手册PDF。
SIR626DP-T1-RE3
型号：SIR626DP-T1-RE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥27.909205 |
| 10+： | ￥25.08995 |
| 100+： | ￥20.165463 |
| 500+： | ￥16.567585 |
| 1000+： | ￥14.200828 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥27.91