IRGP4760D-EPBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRGP4760D-EPBF
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-IGBT
- 商品描述：
- IGBT 650V TO-247
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥10.449633 | ￥104.50 |
| 100 | ￥8.501417 | ￥850.14 |
| 187 | ￥7.851955 | ￥1468.32 |
| 375 | ￥7.14349 | ￥2678.81 |
| 750 | ￥6.317017 | ￥4737.76 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.7 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 90 A
耗散功率 325 W
集电极连续电流（Max） 90 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 100 nA
外形参数
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 SP001541766
单位重量 38 g
IRGP4760D-EPBF 同类别型号
注
IRGP4760D-EPBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、IRGP4760D-EPBF
数据手册PDF
。
IRGP4760D-EPBF
型号：IRGP4760D-EPBF
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥10.449633 |
| 100+： | ￥8.501417 |
| 187+： | ￥7.851955 |
| 375+： | ￥7.14349 |
| 750+： | ￥6.317017 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00