货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥31.624508 | ¥31.62 |
10 | ¥30.818054 | ¥308.18 |
30 | ¥27.361824 | ¥820.85 |
100 | ¥26.872192 | ¥2687.22 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 55 A
漏源电阻 5.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 51 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0TK55S10N1,LQ
型号:TK55S10N1,LQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥31.624508 |
10+: | ¥30.818054 |
30+: | ¥27.361824 |
100+: | ¥26.872192 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥31.62