货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥31.799975 | ¥31.80 |
10 | ¥26.43373 | ¥264.34 |
100 | ¥21.040156 | ¥2104.02 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 5.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导(Min) 113 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 4.7 mm
长度 9.25 mm
宽度 10.26 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.200 g
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0CSD19532KTT
型号:CSD19532KTT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥31.799975 |
10+: | ¥26.43373 |
100+: | ¥21.040156 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥31.80