FGY120T65SPD-F085
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥88.02275 | ￥88.02 |
| 10 | ￥80.885123 | ￥808.85 |
| 100 | ￥68.31284 | ￥6831.28 |
| 500 | ￥60.768871 | ￥30384.44 |
| 1000 | ￥55.739778 | ￥55739.78 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 240 A
耗散功率 882 W
集电极连续电流（Max） 240 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 250 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGY120T65SPD_F085
单位重量 6.100 g
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注
FGY120T65SPD-F085
型号：FGY120T65SPD-F085
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥88.02275 |
| 10+： | ￥80.885123 |
| 100+： | ￥68.31284 |
| 500+： | ￥60.768871 |
| 1000+： | ￥55.739778 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥88.02