货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥63.544671 | ¥63.54 |
| 30 | ¥50.714345 | ¥1521.43 |
| 120 | ¥45.376886 | ¥5445.23 |
| 510 | ¥40.03837 | ¥20419.57 |
| 1020 | ¥36.034586 | ¥36755.28 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 SiC
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 100 A
耗散功率 268 W
集电极连续电流(Max) 100 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 7.326 g
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0AFGHL50T65SQDC
型号:AFGHL50T65SQDC
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥63.544671 |
| 30+: | ¥50.714345 |
| 120+: | ¥45.376886 |
| 510+: | ¥40.03837 |
| 1020+: | ¥36.034586 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥63.54