AFGHL50T65SQDC
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥77.715653 | ￥77.72 |
| 30 | ￥62.024059 | ￥1860.72 |
| 120 | ￥55.496303 | ￥6659.56 |
| 510 | ￥48.967254 | ￥24973.30 |
| 1020 | ￥44.070594 | ￥44952.01 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 SiC
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 100 A
耗散功率 268 W
集电极连续电流（Max） 100 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 7.326 g
AFGHL50T65SQDC 相关产品
AFGHL50T65SQDC 同类别型号
注
AFGHL50T65SQDC
型号：AFGHL50T65SQDC
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥77.715653 |
| 30+： | ￥62.024059 |
| 120+： | ￥55.496303 |
| 510+： | ￥48.967254 |
| 1020+： | ￥44.070594 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥77.72