货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥67.147106 | ¥67.15 |
10 | ¥60.653098 | ¥606.53 |
100 | ¥50.215202 | ¥5021.52 |
500 | ¥43.726811 | ¥21863.41 |
1000 | ¥38.084648 | ¥38084.65 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.2 kV
饱和电压 2 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 882 W
集电极连续电流(Max) 40 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 400 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 7.629 g
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0FGY40T120SMD
型号:FGY40T120SMD
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥67.147106 |
10+: | ¥60.653098 |
100+: | ¥50.215202 |
500+: | ¥43.726811 |
1000+: | ¥38.084648 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥67.15