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STB7ANM60N

ST(意法半导体)
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制造商编号:
STB7ANM60N
制造商:
ST(意法半导体)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 600V D2PAK
渠道:
digikey

库存 :1167

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 19.080696 19.08
10 17.138755 171.39
100 13.779875 1377.99
500 11.321515 5660.76

规格参数

属性
参数值

制造商型号

STB7ANM60N

制造商

ST(意法半导体)

商品描述

MOSFET N-CH 600V D2PAK

包装

Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

900mOhm @ 2.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

4V @ 250mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

14nC @ 10V

Vgs(最大值)

±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

363pF @ 50V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

45W (Tc)

工作温度

150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

D2PAK

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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型号:STB7ANM60N

品牌:ST

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