货期:国内(1~3工作日)
起订量:40
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
40 | ¥23.102425 | ¥924.10 |
100 | ¥17.340006 | ¥1734.00 |
500 | ¥14.72922 | ¥7364.61 |
1000 | ¥13.6901 | ¥13690.10 |
2000 | ¥13.627011 | ¥27254.02 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.2 kV
饱和电压 2.1 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
耗散功率 278 W
集电极连续电流(Max) 15 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 38 g
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0NGTB15N120IHWG
型号:NGTB15N120IHWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
40+: | ¥23.102425 |
100+: | ¥17.340006 |
500+: | ¥14.72922 |
1000+: | ¥13.6901 |
2000+: | ¥13.627011 |
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