货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥39.314621 | ¥39.31 |
25 | ¥35.383159 | ¥884.58 |
50 | ¥32.157343 | ¥1607.87 |
100 | ¥29.478766 | ¥2947.88 |
250 | ¥27.217814 | ¥6804.45 |
500 | ¥25.273685 | ¥12636.84 |
1000 | ¥23.588772 | ¥23588.77 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.2 kV
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 40 A
耗散功率 341 W
集电极连续电流(Max) 20 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 38 g
购物车
0NGTB20N120IHWG
型号:NGTB20N120IHWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥39.314621 |
25+: | ¥35.383159 |
50+: | ¥32.157343 |
100+: | ¥29.478766 |
250+: | ¥27.217814 |
500+: | ¥25.273685 |
1000+: | ¥23.588772 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥39.31