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NGTB50N60S1WG

ON(安森美)
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制造商编号:
NGTB50N60S1WG
制造商:
ON(安森美)
产品类别:
晶体管-IGBT
商品描述:
IGBT 50A 600V TO-247
渠道:
digikey

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货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术类参数

技术 Si

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 600 V

饱和电压 1.8 V

栅极/发射极最大电压 20 V

在25 C的连续集电极电流 100 A

耗散功率 417 W

集电极连续电流(Max) 50 A

栅极—射极漏泄电流 200 nA

物理类型

产品种类 IGBT 晶体管

安装风格 Through Hole

产品类型 IGBT Transistors

单位重量 38 g

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型号:NGTB50N60S1WG

品牌:ON

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