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制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.8 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 100 A
耗散功率 417 W
集电极连续电流(Max) 50 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 38 g
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0NGTB50N60S1WG
型号:NGTB50N60S1WG
品牌:ON
供货:锐单
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