TK65G10N1,RQ
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TK65G10N1,RQ
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：502
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 136 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 81 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 44 ns
外形参数
高度 10.4 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
TK65G10N1,RQ 同类别型号
注
TK65G10N1,RQ品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TK65G10N1,RQ
数据手册PDF
。
TK65G10N1,RQ
型号：TK65G10N1,RQ
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：502 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00