SQM120N02-1M3L_GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SQM120N02-1M3L_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 120A TO263
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：800
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ￥8.682263 | ￥6945.81 |
| 1600 | ￥7.366769 | ￥11786.83 |
| 2400 | ￥7.261529 | ￥17427.67 |
| 5600 | ￥6.735331 | ￥37717.85 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 1.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 290 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 252 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 18 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
SQM120N02-1M3L_GE3 同类别型号
注
SQM120N02-1M3L_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQM120N02-1M3L_GE3
数据手册PDF。
SQM120N02-1M3L_GE3
型号：SQM120N02-1M3L_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 800+： | ￥8.682263 |
| 1600+： | ￥7.366769 |
| 2400+： | ￥7.261529 |
| 5600+： | ￥6.735331 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00