STL60N10F7
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STL60N10F7
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6
- 渠道：
- digikey
库存 ：100
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.901941 | ￥20.90 |
| 10 | ￥18.621729 | ￥186.22 |
| 100 | ￥14.522777 | ￥1452.28 |
| 500 | ￥11.997444 | ￥5998.72 |
| 1000 | ￥10.424912 | ￥10424.91 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL60N10F7
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
DeepGATE™, STripFET™ VII
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
46A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
18mOhm @ 6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
25nC @ 10V
Vgs（最大值）
20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1640pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5W (Ta), 72W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6)
封装/外壳
8-PowerVDFN
STL60N10F7 同类别型号
注
STL60N10F7品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购STL60N10F7、查询STL60N10F7代理商；
STL60N10F7价格批发咨询客服；这里拥有
STL60N10F7中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到STL60N10F7
替代型号
、STL60N10F7
数据手册PDF。
STL60N10F7
型号：STL60N10F7
品牌：ST
供货：锐单
库存：100 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥20.901941 |
| 10+： | ￥18.621729 |
| 100+： | ￥14.522777 |
| 500+： | ￥11.997444 |
| 1000+： | ￥10.424912 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥20.90