STL60N10F7
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- 制造商编号：
- STL60N10F7
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6
- 渠道：
- digikey
库存 ：100
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.229888 | ￥18.23 |
| 10 | ￥16.241172 | ￥162.41 |
| 100 | ￥12.666221 | ￥1266.62 |
| 500 | ￥10.463719 | ￥5231.86 |
| 1000 | ￥9.092216 | ￥9092.22 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL60N10F7
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
DeepGATE™, STripFET™ VII
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
46A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
18mOhm @ 6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
25nC @ 10V
Vgs（最大值）
20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1640pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5W (Ta), 72W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6)
封装/外壳
8-PowerVDFN
STL60N10F7 同类别型号
注
STL60N10F7品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STL60N10F7
数据手册PDF。
STL60N10F7
型号：STL60N10F7
品牌：ST
供货：锐单
库存：100 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.229888 |
| 10+： | ￥16.241172 |
| 100+： | ￥12.666221 |
| 500+： | ￥10.463719 |
| 1000+： | ￥9.092216 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.23