货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥9.266033 | ¥9266.03 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 19 ns
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0SIHF12N60E-GE3
型号:SIHF12N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥9.266033 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00