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HGTD1N120BNS9A

ON(安森美)
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制造商编号：
HGTD1N120BNS9A
制造商：
ON(安森美)
产品类别：
晶体管-IGBT
商品描述：
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
渠道：
国内现货
digikey

库存 ：有货

货期：国内（1~3工作日）

起订量：2500

整装： ￥10

定价（含税）

数量 价格 总计
2500 ￥4.21005 ￥10525.13
5000 ￥4.05409 ￥20270.45
12500 ￥3.912895 ￥48911.19

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi / Fairchild

技术类参数

技术 Si

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V

饱和电压 2.5 V

栅极/发射极最大电压 20 V

在25 C的连续集电极电流 5.3 A

耗散功率 60 W

集电极连续电流 5.3 A

集电极连续电流（Max） 5.3 A

栅极—射极漏泄电流 +/- 250 nA

外形参数

高度 2.3 mm

长度 6.6 mm

宽度 6.1 mm

物理类型

产品种类 IGBT 晶体管

安装风格 SMD/SMT

产品类型 IGBT Transistors

单位重量 260.370 mg

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注

HGTD1N120BNS9A品牌厂家：ON ，所属分类： 晶体管-IGBT ，可在锐单商城现货采购HGTD1N120BNS9A、查询HGTD1N120BNS9A代理商； HGTD1N120BNS9A价格批发咨询客服；这里拥有 HGTD1N120BNS9A中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到HGTD1N120BNS9A 替代型号 、HGTD1N120BNS9A 数据手册PDF。

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HGTD1N120BNS9A

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型号：HGTD1N120BNS9A

品牌：ON

供货：锐单

库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1

单价：

2500+： ￥4.21005
5000+： ￥4.05409
12500+： ￥3.912895

货期：1-2天

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