HGTD1N120BNS9A
库存 ：14
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.415375 | ￥19.42 |
| 10 | ￥17.46228 | ￥174.62 |
| 100 | ￥14.038009 | ￥1403.80 |
| 500 | ￥11.533657 | ￥5766.83 |
| 1000 | ￥9.556409 | ￥9556.41 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 2.5 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 5.3 A
耗散功率 60 W
集电极连续电流 5.3 A
集电极连续电流（Max） 5.3 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 250 nA
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 260.370 mg
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注
HGTD1N120BNS9A
型号：HGTD1N120BNS9A
品牌：ON
供货：锐单
库存：14 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥19.415375 |
| 10+： | ￥17.46228 |
| 100+： | ￥14.038009 |
| 500+： | ￥11.533657 |
| 1000+： | ￥9.556409 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.42