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FDFMA2P853T

ROCHESTER(罗彻斯特电子)
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制造商编号:
FDFMA2P853T
制造商:
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
P-CHANNEL POWER MOSFET
渠道:
digikey

库存 :16850

货期:(7~10天)

起订量:1110

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
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规格参数

属性
参数值

制造商型号

FDFMA2P853T

制造商

ROCHESTER(罗彻斯特电子)

商品描述

P-CHANNEL POWER MOSFET

包装

Bulk

系列

PowerTrench®

零件状态

Obsolete

FET 类型

P-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

3A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

120mOhm @ 3A, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

1.3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

6nC @ 4.5V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

435pF @ 10V

FET 功能

Schottky Diode (Isolated)

功率耗散(最大值)

1.4W (Ta)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

MicroFET 2x2 Thin

封装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

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型号:FDFMA2P853T

品牌:ROCHESTER

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