
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥28.380244 | ¥28.38 |
| 10 | ¥23.574144 | ¥235.74 |
| 100 | ¥18.762338 | ¥1876.23 |
| 500 | ¥15.876108 | ¥7938.05 |
| 1000 | ¥13.470633 | ¥13470.63 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 2.2 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 159 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 10.5 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 118 mg
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0CSD16325Q5
型号:CSD16325Q5
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥28.380244 |
| 10+: | ¥23.574144 |
| 100+: | ¥18.762338 |
| 500+: | ¥15.876108 |
| 1000+: | ¥13.470633 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥28.38