货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥1.641728 | ¥1.64 |
10 | ¥1.513468 | ¥15.13 |
30 | ¥1.487816 | ¥44.63 |
100 | ¥1.41086 | ¥141.09 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 23.3 nC
耗散功率 56 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 P-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF9Z34NPBF SP001560182
单位重量 2 g
购物车
0IRF9Z34NPBF
型号:IRF9Z34NPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥1.641728 |
10+: | ¥1.513468 |
30+: | ¥1.487816 |
100+: | ¥1.41086 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥1.64