
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥2.266101 | ¥2.27 |
| 10 | ¥2.232111 | ¥22.32 |
| 50 | ¥1.833844 | ¥91.69 |
| 250 | ¥1.610973 | ¥402.74 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 23.3 nC
耗散功率 56 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 P-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF9Z34NPBF SP001560182
单位重量 2 g
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0IRF9Z34NPBF
型号:IRF9Z34NPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥2.266101 |
| 10+: | ¥2.232111 |
| 50+: | ¥1.833844 |
| 250+: | ¥1.610973 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥2.27