FGD3325G2-F085
库存 ：1851
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.817355 | ￥21.82 |
| 10 | ￥19.493949 | ￥194.94 |
| 25 | ￥18.507917 | ￥462.70 |
| 100 | ￥13.882355 | ￥1388.24 |
| 250 | ￥13.749468 | ￥3437.37 |
| 500 | ￥11.766354 | ￥5883.18 |
| 1000 | ￥9.585045 | ￥9585.04 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 250 V
饱和电压 1.68 V
栅极/发射极最大电压 10 V
在25 C的连续集电极电流 41 A
耗散功率 150 W
集电极连续电流（Max） 25 A
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGD3325G2_F085
单位重量 260.370 mg
FGD3325G2-F085 同类别型号
注
FGD3325G2-F085品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGD3325G2-F085
数据手册PDF。
FGD3325G2-F085
型号：FGD3325G2-F085
品牌：ON
供货：锐单
库存：1851 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.817355 |
| 10+： | ￥19.493949 |
| 25+： | ￥18.507917 |
| 100+： | ￥13.882355 |
| 250+： | ￥13.749468 |
| 500+： | ￥11.766354 |
| 1000+： | ￥9.585045 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.82