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制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 250 V
饱和电压 1.68 V
栅极/发射极最大电压 10 V
在25 C的连续集电极电流 41 A
耗散功率 150 W
集电极连续电流(Max) 25 A
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGD3325G2_F085
单位重量 260.370 mg
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0FGD3325G2-F085
型号:FGD3325G2-F085
品牌:ON
供货:锐单
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