FGD3040G2-F085
库存 ：4407
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥35.307495 | ￥35.31 |
| 10 | ￥22.65438 | ￥226.54 |
| 100 | ￥15.427709 | ￥1542.77 |
| 500 | ￥12.336409 | ￥6168.20 |
| 1000 | ￥12.009701 | ￥12009.70 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 400 V
饱和电压 1.15 V
栅极/发射极最大电压 10 V
在25 C的连续集电极电流 23.2 A
耗散功率 150 W
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGD3040G2_F085
单位重量 260.370 mg
FGD3040G2-F085 同类别型号
注
FGD3040G2-F085品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGD3040G2-F085
数据手册PDF。
FGD3040G2-F085
型号：FGD3040G2-F085
品牌：ON
供货：锐单
库存：4407 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥35.307495 |
| 10+： | ￥22.65438 |
| 100+： | ￥15.427709 |
| 500+： | ￥12.336409 |
| 1000+： | ￥12.009701 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥35.31