RGT16BM65DTL
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥6.857376 | ￥17143.44 |
| 5000 | ￥6.599601 | ￥32998.00 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 16 A
耗散功率 94 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT16BM65D
单位重量 460.500 mg
RGT16BM65DTL 同类别型号
注
RGT16BM65DTL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、RGT16BM65DTL
数据手册PDF。
RGT16BM65DTL
型号：RGT16BM65DTL
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥6.857376 |
| 5000+： | ￥6.599601 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00