货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥27.113322 | ¥27.11 |
10 | ¥24.31453 | ¥243.15 |
100 | ¥19.540334 | ¥1954.03 |
500 | ¥16.054586 | ¥8027.29 |
1000 | ¥13.302396 | ¥13302.40 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 16 A
耗散功率 94 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT16BM65D
单位重量 460.500 mg
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0RGT16BM65DTL
型号:RGT16BM65DTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥27.113322 |
10+: | ¥24.31453 |
100+: | ¥19.540334 |
500+: | ¥16.054586 |
1000+: | ¥13.302396 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥27.11