库存 ：9714
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥31.08747 | ￥31.09 |
| 10 | ￥27.878443 | ￥278.78 |
| 100 | ￥22.404468 | ￥2240.45 |
| 500 | ￥18.407795 | ￥9203.90 |
| 1000 | ￥15.252201 | ￥15252.20 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 16 A
耗散功率 94 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT16BM65D
单位重量 460.500 mg
RGT16BM65DTL 同类别型号
注
RGT16BM65DTL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、RGT16BM65DTL
数据手册PDF。
RGT16BM65DTL
型号：RGT16BM65DTL
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：9714 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥31.08747 |
| 10+： | ￥27.878443 |
| 100+： | ￥22.404468 |
| 500+： | ￥18.407795 |
| 1000+： | ￥15.252201 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥31.09