IXXN110N65C4H1
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- 制造商编号：
- IXXN110N65C4H1
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管IGBT
- 商品描述：
- IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥398.832091 | ￥398.83 |
| 10 | ￥354.429038 | ￥3544.29 |
| 100 | ￥309.998209 | ￥30999.82 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
产品 IGBT Silicon Modules
商标 IXYS
商标名 XPT
技术类参数
配置 Single Dual Emitter
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.98 V
在25 C的连续集电极电流 210 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
耗散功率 750 W
栅极/发射极最大电压 20 V
技术 Si
物理类型
产品种类 IGBT 模块
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Modules
单位重量 30 g
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注
IXXN110N65C4H1品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管IGBT
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替代型号
、IXXN110N65C4H1
数据手册PDF。
IXXN110N65C4H1
型号：IXXN110N65C4H1
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥398.832091 |
| 10+： | ￥354.429038 |
| 100+： | ￥309.998209 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥398.83