FPF2G120BF07AS
库存 ：64
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2643.881593 | ￥2643.88 |
| 200 | ￥1023.150936 | ￥204630.19 |
| 500 | ￥987.203684 | ￥493601.84 |
| 1000 | ￥969.43646 | ￥969436.46 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
产品 IGBT Silicon Modules
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
配置 Triple
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.55 V
在25 C的连续集电极电流 40 A
栅极—射极漏泄电流 2 uA
耗散功率 98 W, 140 W, 156 W
栅极/发射极最大电压 20 V
技术 Si
物理类型
产品种类 IGBT 模块
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Modules
单位重量 45 g
FPF2G120BF07AS 同类别型号
注
FPF2G120BF07AS品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管IGBT
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替代型号
、FPF2G120BF07AS
数据手册PDF。
FPF2G120BF07AS
型号：FPF2G120BF07AS
品牌：ON
供货：锐单
库存：64 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2643.881593 |
| 200+： | ￥1023.150936 |
| 500+： | ￥987.203684 |
| 1000+： | ￥969.43646 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2643.88