BSM300D12P3E005

制造商 ROHM Semiconductor

产品 Power MOSFET Modules

商标 ROHM Semiconductor

正向电压 1.6 V

反向电压 1200 V

栅极电压 22 V

配置 Half-Bridge

下降时间 50 ns

漏极电流 300 A

耗散功率 1260 W

上升时间 35 ns

技术 SiC

晶体管极性 N-Channel

典型关闭延迟时间 210 ns

典型接通延迟时间 30 ns

漏源击穿电压 1200 V

栅源极阈值电压 2.7 V

产品种类 分立半导体模块

类型 SiC Power Module

安装风格 Screw Mount

产品类型 Discrete Semiconductor Modules